+7 (812) 409-46-36
Россия, г.Санкт-Петербург, пр. Римского-Корсакова 107
Прямой поставщик оригинальных импортных электронных компонентов, силовой и промышленной электроники
Россия, г.Санкт-Петербург, пр. Римского-Корсакова 107
+7 (812) 409-46-36
  • 2N3820_D26Z
В наличии
  • Подробно
  • Характеристики
Техническая спецификация
Manufacturer     ON Semiconductor
Series     -
Packaging     Tape & Reel (TR)
Part Status     Obsolete
FET Type     P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)     20V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)     300µA @ 10V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id     8V @ 10µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds     32pF @ 10V
Power - Max     350mW
Operating Temperature     -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type     Through Hole
Package / Case     TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package     TO-92-3
Base Part Number     2N3820
JFET P-CH 20V 0.35W TO92 - JFET P-Channel 20V 350mW Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые 2N3820_D26Z
Datasheet 2N3820_D26Z (PDF)
Основные характеристики
  • Производитель ON Semiconductor
  • Вид монтажа Through Hole
  • Серия -
Назад к списку