BSM75GD170DL

Техническая спецификация
Макс.напр.к-э,В     -
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В     -
Номинальный ток одиночного тр-ра,А     -
Структура модуля     -
Тип силового модуля     -
Максимальная частота модуляции,кГц     -
Входная емкость затвора,нФ     -
Мощность привода, кВт     -
Драйвер управления     -
Защита по току     -
Защита от короткого замыкания     -
Защита от перегрева     -
Защита от пониженного напряжения питания     -
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт     -
Максимальный ток эмиттера, А     -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В     -
Напряжение эмиттер-коллектор,В     -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс     -
Напряжение изоляции, В     -
Температурный диапазон,С     -
BSM75GD170DL - IGBT модули
IGBT модули BSM75GD170DL