+7 (812) 409-46-36
Россия, г.Санкт-Петербург, пр. Римского-Корсакова 107
Прямой поставщик оригинальных импортных электронных компонентов, силовой и промышленной электроники
Россия, г.Санкт-Петербург, пр. Римского-Корсакова 107
+7 (812) 409-46-36
  • 2731GN-110M
В наличии
  • Подробно
  • Характеристики
Техническая спецификация
Manufacturer     Microsemi Corporation
Series     -
Packaging     Bulk
Part Status     Active
Transistor Type     2 N-Channel (Dual) Common Source
Frequency     2.7GHz ~ 3.1GHz
Gain     11.7dB ~ 12.2dB
Voltage - Test     60V
Current Rating     2.5mA
Noise Figure     -
Current - Test     250mA
Power - Output     125W
Voltage - Rated     150V
Package / Case     55QP
Supplier Device Package     55QP
FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP - RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 11.7dB ~ 12.2dB 125W 55QP
Транзисторы полевые 2731GN-110M
Datasheet 2731GN-110M (PDF)
Основные характеристики
  • Производитель Microsemi Corporation
Назад к списку